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微刻蝕有什么要求

文章出處:未知 責任編輯:admin 閱讀量: 發表時間:2021-02-20 16:32
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伴隨著半導體技術的發展,微刻蝕已成為工藝過程中不可缺少的重要環節,由于微刻蝕對薄膜材料具有較好的各向異性和選擇比,因此微刻蝕在納米級、微米級,特別是在小尺寸線寬的加工過程中有著廣泛的應用,今天橙河科技小編就帶大家來探討一下微刻蝕的基本要求。

微刻蝕有什么要求

1)負荷影響(速率)

微刻蝕存在負載效應,即即刻刻蝕率將在特征變量下,與刻蝕圖形面積、刻蝕線寬等相關的非線性關系。負荷效應分為宏觀負荷效應和微觀負荷效應。

受刻蝕的圖形面積越大,同時單位氣體中氣體耗盡的可能性越大,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線厚度不同,即刻蝕線厚度不同,即刻蝕線厚度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,即刻蝕線寬度不同,導致刻蝕線厚度不同。

二是均勻度。

均勻度、瞬間蝕蝕深度、形態一致性是討論片內均勻性的主要因素。當制備材料時,首先存在著被刻蝕薄膜的均勻性問題,其次是片源材料的厚度均勻性問題,而整個材料的熱傳導差異都會影響最終的微刻蝕均勻性。

在刻蝕過程中,均勻性的控制與流動控制密切相關,適宜流動比和有效惰性氣體的摻入是提高刻蝕均勻性的重要變量。

對面積較大的,一般也會采用過微刻蝕方法來提高均勻性,可將截至層與被刻蝕材料加在一起,使被刻蝕材料具有更高的選擇比,既可延長刻蝕時間,保證刻透效果,又可防止下層材料因過刻蝕造成的異常。

三是表面形態。

一般而言,微刻后的形狀都希望是側壁平滑而陡峭。對有反光效果的裝置,可能需要有傾斜度??傮w上,對形狀的要求取決于器件要達到的功能。

四、表面清潔度。

在刻蝕過程中,影響表面潔凈度的因素有微環境的潔凈度、光刻膠顯影后圖形處的潔凈度和聚合物的再沉積。特定變量的影響十分復雜,因此橙河科技小編提醒大家在微刻蝕過程中防止污染的發生十分重要。


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