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平面微納制造跟傳統機械加工有什么區別

文章出處:未知 責任編輯:admin 閱讀量: 發表時間:2021-02-23 15:22
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橙河科技小編了解到用曝光法而非微納制造工具與材料直接相互作用形成微納米結構。因此,限制微納制造結構尺寸的不是加工工具本身的尺寸,而是成像系統的分辨率,如波長、激光、電子束或離子束直徑等;

平面微納制造跟傳統機械加工有什么區別

在平面加工中,通常只能形成二維平面結構,或擬三維結構,而非真正的三維系統。通過多層二維結構的疊加,形成平面工藝所形成的三維結構;

平板加工形成了一個完整的系統,而不是一個單獨的部分。因為每一個部件都很小,所以不可能按照傳統的方式先加工分立部件,然后再裝配到系統中。因此,系統中的各個部分及其相互關系都是在平面微納制造過程中形成的。

平板微納制造過程是在60年代集成電路的發展中產生的。從分立到集成的半導體晶體管是基于平面工藝的。平面微納制造工藝在集成電路制造過程中有4個基本方面。

膜的沉積

氧化膜、多晶硅膜、金屬膜等。金屬連線、晶體管柵極、摻雜掩模、絕緣、隔板、鈍化層等是集成電路的基本部件。

圖解法

我們所說的圖形化就是在硅基上形成各種電路圖象。其中包括光刻與刻蝕兩方面。而圖形化技術則是集成電路微納制造技術的核心。該集成電路采用圖形化結構。IC的發展史也是平面圖形技術不斷進步的歷史。

混合。

電晶體的載流子區是通過熱擴散摻雜和離子注入摻雜兩種方式形成的。

熱加工

在離子注入后進行熱處理可使離子轟擊引起的晶格錯位得到恢復,熱處理還可使沉積的金屬膜與基底合金化,形成牢固的導電層。

雖然平面微納制造技術主要用于集成電路制造,但是近年來在微系統技術中也大量應用平面加工技術來制作各種微機械,微流體,微光電器件等。除無摻雜工藝外,微系統所需的加工技術與集成電路的平面加工技術基本相同。但是橙河科技小編了解到由于某些微系統功能的特殊性,其結構尺寸通常要比集成電路大得多。因此,也就產生了一些適合微細系統的平面技術,如厚膠曝光、電鑄、硅深蝕和灰度曝光等用于微光器件制作的技術。


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