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硅如何進行微刻蝕

文章出處:未知 責任編輯:admin 閱讀量: 發表時間:2021-02-23 15:24
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橙河科技小編首先介紹了硅微刻蝕原理。

硅如何進行微刻蝕

微刻蝕是利用射頻電源使反應氣體產生反應活性高的離子和電子,從而對硅片進行物理轟擊和化學反應,以選擇性地去除我們需要去除的部分。經過微刻蝕的物質變成易揮發的氣體,通過抽氣系統將其抽離,最終按照設計要求刻蝕到所需的深度。

微刻蝕可以實現各向異性,垂直于微刻速率要比橫向大得多。

微刻蝕過程通常包括物理濺射刻蝕和化學反應刻蝕。對物理濺射性刻蝕來說,就是利用輝光放電,將氣體分解為帶正電的離子,再利用偏壓加速離子,使其濺擊到被蝕刻物的表面,并將被蝕刻物原子(各向異性)擊穿。對化學反應性刻蝕來說,則是生成具有極強化學活性的原()子團,這些原()子團會擴散到被刻蝕物質的表面,并與被刻蝕物質發生反應。

揮發反應生成(各向同性),然后由真空裝置將其抽離反應腔。

硅微刻蝕工藝的要求。

對早期器件的微刻蝕工藝要求,一般要求有深度、選材比例、掩膜完全轉移和側壁陡直等。

新器件的不斷出現,對微刻蝕工藝也提出了越來越多的要求,如:圓包刻蝕、梯形刻蝕、三角刻蝕等;高深寬比、V形槽要求低損傷、保證深度等,要達到各種要求,除了需要我們對影響微刻蝕工藝的因素有充分的認識外,還需要對光刻工藝和掩膜條件有較好的認識。

硅微刻蝕過程中的重要因素。

微刻蝕過程的影響因素分為外部因素和內部因素。

外在因素主要包括設備的硬件配置以及對環境的溫度、濕度的影響,對于操作者來說,外在因素只能記錄,難以改變,要做的就是優化工藝參數,達到比較理想的實驗結果。

內因是在設備穩定的情況下,對加工效果起決定性作用,橙河科技小編了解到對微刻蝕率、表面形態等都有重要影響的因素有:工作壓力的選擇;射頻功率的選擇;ICP功率;基板溫度和反應室溫度;反應氣體的選擇和比例。

 


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